Skip to content

Opening book details…

Can I read Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы on EtoBox?

Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы by Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В. is a nonfiction available to read on EtoBox.

What is Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы about?

В данной лабораторной работе рассматриваются физические основы метода Оже-спектроскопии и его применение для определения элементного состава поверхности полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов старших курсов и магистратуры физического факультета, обучающихся по специальностям ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и ''Физика полупроводников. Микроэлектроника'', направление специализации - ''Физика твердотельных наноструктур''. Пособие подготовлено в рамках работ по проекту ''Научно-образовательный центр Физика твердотельных наноструктур Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского'' Российско-американской программы ''Фундаментальные исследования и высшее образование''

Who reads Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы?

It is typically read by self-directed learners exploring a subject in depth.

Common subject areas: history, science, philosophy, social sciences.

Author
Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В.
Publisher
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Published
2002
Language
RU
Category
nonfiction
Subjects
Science, Physics, Solid State Physics

More by Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В.

Browse all works by Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В.

Similar books