Can I read 半导体器件物理 on EtoBox?

半导体器件物理 by 孟庆巨,刘海波,孟庆辉编著 is a book available to read on EtoBox.

What is 半导体器件物理 about?

1 (p0-1): 目录 1 (p0-2): 序言 1 (p0-3): 前言 1 (p0-4): 主要符号表 1 (p0-5): 第一章 半导体物理基础 1 (p0-6): 1.1 半导体中的电子状态 1 (p0-7): 1.1.1 半导体中电子的波函数和能量谱值 布洛赫定理 4 (p0-8): 1.1.2 能带 6 (p0-9): 1.1.3 有效质量 9 (p0-10): 1.1.4 导带电子和价带空穴 12 (p0-11): 1.1.5 硅、锗、砷化镓的能带结构 15 (p0-12): 1.1.6 杂质和缺陷能级 20 (p0-13): 1.2 载流子的统计分布 20 (p0-14): 1.2.1 能带中的状态密度和分布函数 22 (p0-15): 1.2.2 能带中的电子和空穴浓度 24 (p0-16): 1.2.3 本征半导体 25 (p0-17): 1.2.4 只有一种杂质的半导体 28 (p0-18): 1.2.5 杂质补偿半导体 29 (p0-19): 1.3 简并半导体 32 (p0-20): 1.4 载流子的散射 32 (p0-21): 1.4.1 格波与声子 34 (p0-22): 1.4.2 载流子的散射 37 (p0-23): 1.5.1 漂移运动 迁移率和电导率 37 (p0-24): 1.5 载流子的输运 39 (p0-25): 1.5.2 扩散运动和扩散电流 40 (p0-26): 1.5.3 流密度和电流密度 40 (p0-27): 1.5.4 非均匀半导体中的自建场 43 (p0-28): 1.6 非平衡载流子 43 (p0-29): 1.6.1 非平衡载流子的产生与复合 46 (p0-30): 1.6.2 准费米能级 47 (p0-31): 1.6.3 复合机制 53 (p0-32): 1.6.4 半导体中的基本控制方程 56 (p0-33): 第二章 PN结 58 (p0-34): 2.1 热平衡PN结 62 (p0-35): 2.2.1 加偏压的PN结的能带图 62 (p0-36): 2. 2加偏压的PN结 64 (p0-37): 2.2.2 少数载流子的注入与输运 67 (p0-38): 2.3 理想PN结的直流电流-电压特性 72 (p0-39): 2.4 空间电荷区的复合电流和产生电流 74 (p0-40): 2.5 隧道电流 77 (p0-41): 2.6 I-V特性的温度依赖关系 78 (p0-42): 2.7 耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 81 (p0-43): 2.8 小信号交流分析 84 (p0-44): 2.9 电荷贮存和反向瞬变 88 (p0-45): 2.10 PN结击穿 94 (p0-46): 第三章 双极结型晶体管 95 (p0-47): 3.1 双极结型晶体管的结构 98 (p0-4

Author

孟庆巨,刘海波,孟庆辉编著

Publisher

北京:科学出版社

Published

2005

Language

ZH

ISBN

9787030139511