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半导体器件物理 by 刘树林,张华曹,柴常春编著, 刘树林, 张华曹, 柴常春编著, 刘树林, 张华曹, 柴常春 is a book available to read on EtoBox.

What is 半导体器件物理 about?

1 (p0-1): 目录 1 (p0-2): 第1章 半导体物理基础 1 (p0-3): 1.1 半导体晶体结构和缺陷 1 (p0-4): 1.1.1 半导体的晶体结构 3 (p0-5): 1.1.2 晶体的晶向与晶面 4 (p0-6): 1.1.3 半导体中的缺陷 6 (p0-7): 1.2 半导体的能带与杂质能级 6 (p0-8): 1.2.1 半导体中电子共有化运动与能带 11 (p0-9): 1.2.2 半导体中的E(k)~k关系、有效质量和k空间等能面 14 (p0-10): 1.2.3 Si、Ge的能带结构及本征半导体 15 (p0-11): 1.2.4 杂质半导体 19 (p0-12): 1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子 19 (p0-13): 1.3.1 导带电子浓度与价带空穴浓度 22 (p0-14): 1.3.2 本征载流子浓度与本征费米能级 24 (p0-15): 1.3.3 杂质半导体的载流子浓度 28 (p0-16): 1.3.4 简并半导体及其载流子浓度 30 (p0-17): 1.3.5 非平衡载流子的产生与复合及准费米能级 32 (p0-18): 1.3.6 非平衡载流子的寿命与复合理论 35 (p0-19): 1.4 半导体中载流子的输运现象 35 (p0-20): 1.4.1 载流子的漂移运动与迁移率 37 (p0-21): 1.4.2 半导体中的主要散射机构及迁移率与平均自由时间的关系 40 (p0-22): 1.4.3 半导体的迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系 43 (p0-23): 1.4.4 载流子的扩散运动及爱因斯坦关系 45 (p0-24): 1.4.5 连续性方程 46 (p0-25): 1.5 半导体表面 46 (p0-26): 1.5.1 半导体表面和表面能级 47 (p0-27): 1.5.2 Si-SiO2系统中的表面态与表面处理 49 (p0-28): 1.5.3 表面能带弯曲与反型 50 (p0-29): 1.5.4 表面复合 50 (p0-30): 思考题和练习题 52 (p0-31): 第2章 PN结 52 (p0-32): 2.1 平衡PN结 52 (p0-33): 2.1.1 PN结的制造工艺和杂质分布 54 (p0-34): 2.1.2 平衡PN结的空间电荷区和能带图 57 (p0-35): 2.1.3 平衡PN结的载流子浓度分布 58 (p0-36): 2.2 PN结的直流特性 58 (p0-37): 2.2.1 PN结的正向特性 65 (p0-38): 2.2.2 PN结的反向特性 68 (p0-39): 2.2.3 PN结的伏安特性 70 (p0-40): 2.2.4 影响PN结伏安特性的因素 76 (p0-41): 2.3 PN结空间电荷区的电场和宽度 77 (p0-42

Author

刘树林,张华曹,柴常春编著, 刘树林, 张华曹, 柴常春编著, 刘树林, 张华曹, 柴常春

Publisher

北京:电子工业出版社

Published

2005

Language

ZH

ISBN

9787121006227