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现代半导体器件物理 by (美)施敏(S.M.Sze)主编;刘晓彦,贾霖等译, 美]施敏(S.M. Sze)主编 , 刘晓彦, 贾霖, 康晋锋译, 施敏, 刘晓彦, 贾霖, 康晋锋, 施敏主编 , 刘晓彥, 贾霖, 康晉锋译, 韩汝琦校, S. M Sze is a book available to read on EtoBox.
What is 现代半导体器件物理 about?
1 (p0-1): 中文版序 1 (p0-2): 中译本序 1 (p0-3): 执笔者简介 1 (p0-4): 引言 9 (p1): 1 双极晶体管 9 (p1-2): 1.1 引言 11 (p1-3): 1.2 双极晶体管的工作原理 26 (p1-4): 1.3 硅双极晶体管 31 (p1-5): 1.4 异质结双极晶体管 51 (p1-6): 1.5 双极晶体管模型 56 (p1-7): 1.6 总结与展望 59 (p1-8): 习题 60 (p1-9): 参考文献 63 (p2): 2 化合物半导体场效应晶体管 63 (p2-2): 2.1 引言 65 (p2-3): 2.2 肖特基势垒和欧姆接触 69 (p2-4): 2.3 GaAs MESFET 82 (p2-5): 2.4 异质结场效应晶体管(HFET) 89 (p2-6): 2.5 栅极漏电流 90 (p2-7): 2.6 新型化合物半导体FET 98 (p2-8): 2.7 总结与展望 100 (p2-9): 习题 103 (p2-10): 参考文献 106 (p2-11): 3.1 引言 106 (p3): 3 MOSFET及其相关器件 107 (p3-2): 3.2 MOSFET的按比例缩小 110 (p3-3): 3.3 CMOS/BiCMOS 119 (p3-4): 3.4 可靠性 122 (p3-5): 3.5 SOI和三维结构 125 (p3-6): 3.6 存储结构 131 (p3-7): 3.7 低压/低功耗器件 133 (p3-8): 3.8 总结与展望 136 (p3-9): 习题 137 (p3-10): 参考文献 140 (p3-11): 4.1 引言 140 (p4): 4 功率器件 141 (p4-2): 4.2 功率整流管 155 (p4-3): 4.3 功率MOSFET 167 (p4-4): 4.4 绝缘栅双极晶体管 179 (p4-5): 4.5 MOS栅控晶闸管 184 (p4-6): 4.6 碳化硅功率器件 185 (p4-7): 4.7 总结与展望 186 (p4-8): 习题 186 (p4-9): 参考文献 192 (p5): 5 量子效应和热电子器件 192 (p5-2): 5.1 引言 194 (p5-3): 5.2 共振隧穿(RT)结构 220 (p5-4): 5.3 热电子结构 233 (p5-5): 5.4 器件应用 245 (p5-6): 5.5 总结与展望 247 (p5-7): 附录5.A 态密度和费米积分 248 (p5-8): 附录5.B 在具有散射的超晶格中的漂移速度 249 (p5-9): 附录5.C 接触和超晶格 250 (p5-10): 附录5.D 相干晶体管基区输运 251 (p5-11): 习题 254 (p5-1
- Author
- (美)施敏(S.M.Sze)主编;刘晓彦,贾霖等译, 美]施敏(S.M. Sze)主编 , 刘晓彦, 贾霖, 康晋锋译, 施敏, 刘晓彦, 贾霖, 康晋锋, 施敏主编 , 刘晓彥, 贾霖, 康晉锋译, 韩汝琦校, S. M Sze
- Publisher
- 北京:科学出版社
- Published
- 2001
- Language
- ZH
- ISBN
- 9787030090591