1032. Doping of silicon by ion implantation: S Rayla et al,Izv VUZ Fiz, No 9, 1971 140–141 (in Russian)VacuumVacuum1972DOI 10.1016/0042-207x(72)91755-1
Separation of an Isotope as a Precursor of a Gamma-raylaser MediumT. ArisawaSpringer1997DOI 10.1023/a:1012091319228
Wir müssen chinesischer werden : Peter von Jan, Raylase AG, über seine Erfahrungen bei der Expansion nach AsienAndreas ThoßWiley (John Wiley & Sons)2010DOI 10.1002/latj.201090096