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硅半导体器件辐射效应及加固技术 by 刘文平著;刘佑宝审, 刘文平, active 2013, author, Liu Wenping zhu, 刘文平著, 刘文平 is a book available to read on EtoBox.

What is 硅半导体器件辐射效应及加固技术 about?

1 (p1): 第1章 辐射环境与损伤机理基本概念 1 (p1-1): 1.1空间带电粒子环境 1 (p1-1-1): 1.1.1地球俘获带 3 (p1-1-2): 1.1.2太阳宇宙射线 3 (p1-1-3): 1.1.3银河系宇宙射线 4 (p1-1-4): 1.1.4典型卫星轨道的粒子辐射环境 5 (p1-1-5): 1.1.5核爆对空间辐射环境影响 6 (p1-1-6): 1.1.6地面模拟辐射源类型 6 (p1-2): 1.2基本损伤机理 9 (p1-2-1): 1.2.1辐射表征 10 (p1-2-2): 1.2.2电离辐射效应 17 (p1-2-3): 1.2.3反型层迁移率 18 (p1-2-4): 1.2.4表面复合 19 (p1-2-5): 1.2.5单粒子辐射效应 35 (p1-2-6): 1.2.6剂量增强效应 35 (p1-2-7): 1.2.7瞬时辐射光电流 41 (p1-2-8): 1.2.8单粒子瞬变脉冲光电流 43 (p2): 第2章 硅双极器件的空间辐射效应及加固原则 43 (p2-1): 2.1硅双极器件的辐射损伤基本现象 46 (p2-2): 2.2硅双极器件的辐射损伤基本机理 46 (p2-2-1): 2.2.1基本机理概述 48 (p2-2-2): 2.2.2双极器件的低剂量率效应 54 (p2-2-3): 2.2.3氧化层工艺对双极器件的影响 57 (p2-2-4): 2.2.4双极晶体管剂量率效应 59 (p2-3): 2.3硅双极器件加固基本措施 59 (p2-3-1): 2.3.1器件结构加固 61 (p2-3-2): 2.3.2电路结构加固 65 (p2-3-3): 2.3.3模拟集成电路抗辐射加固的考虑 65 (p2-3-4): 2.3.4关键参数的初步设计 68 (p2-4): 2.4双极放大器模块加固设计 68 (p2-4-1): 2.4.1差分输入级加固 69 (p2-4-2): 2.4.2放大级加固 70 (p2-4-3): 2.4.3电流基准源加固 72 (p3): 第3章MOS器件的辐射效应及其加固方法 73 (p3-1): 3.1 MOS器件参数和材料的辐射效应 73 (p3-1-1): 3.1.1 CMOS器件的闩锁效应 77 (p3-1-2): 3.1.2 MOSFET晶体管的辐射效应 86 (p3-1-3): 3.1.3氧化层电容的量子效应 86 (p3-1-4): 3.1.4材料特性和介质结构 89 (p3-1-5): 3.1.5电场 89 (p3-1-6): 3.1.6辐射光电流对MOS电路的主要影响 94 (p3-2): 3.2抗辐射加固CMOS电路设计要点 94 (p3-2-1): 3.2.1设计基本要求 96 (p3-2-2): 3.2.2单元电路的器件版图结构 96 (p

Author

刘文平著;刘佑宝审, 刘文平, active 2013, author, Liu Wenping zhu, 刘文平著, 刘文平

Publisher

北京:科学出版社

Published

2013

Language

ZH

ISBN

9787030387028

Subjects

Science, Physics, Stem