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先进半导体材料及器件的辐射效应 by [比]C.CLAEYS E.SIMOEN著 刘忠立译 is a book available to read on EtoBox.

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封面 1 书名 1 版权 1 前言 6 目录 12 符号表 18 希腊符号表 26 第1章 辐射环境及器件选择策略 29 1.1 引言 29 1.2 辐射环境 29 1.2.1 空间环境 30 1.2.2 高能物理实验 32 1.2.3 核环境 32 1.2.4 天然环境 33 1.2.5 加工工艺引入的辐射 34 1.3 器件选择策略 34 1.4 小结 36 第2章 半导体材料及器件的基本辐射损伤机理 37 2.1 引言 37 2.2 基本损伤机理 37 2.2.1 计量单位 38 2.2.2 电离损伤 38 2.2.3 位移损伤 40 2.3 辐射损伤对器件特性的影响 47 2.3.1 电离损伤 48 2.3.2 位移损伤 56 2.4 微观辐射损伤的谱学研究 64 2.4.1 电子顺磁共振(EPR) 65 2.4.2 深能级瞬态谱(DLTS) 70 2.4.3 光致发光谱(PL) 77 2.5 小结 79 第3章 IV族半导体材料中的位移损伤 81 3.1 引言 81 3.2 硅的位移损伤 82 3.2.1 硅的辐射缺陷 82 3.2.2 辐射缺陷对硅器件的影响 90 3.2.3 衬底及器件的加固 94 3.2.4 硅辐射缺陷的小结 98 3.3 锗的位移损伤 99 3.3.1 Ge的潜在应用 100 3.3.2 Ge的低温辐照 101 3.3.3 Ge的室温辐照 102 3.3.4 辐射损伤对Ge材料及器件的影响 105 3.3.5 Ge辐射缺陷的小结 106 3.4 SiGe合金的位移损伤 106 3.4.1 SiGe材料的性质及应用 107 3.4.2 SiGe的辐射损伤 113 3.4.3 SiGe加工工艺引入的辐射损伤 125 3.4.4 SiGe器件的辐射损伤 135 3.4.5 SiGe合金辐射损伤小结 137 3.5 IV族半导体总的小结 138 第4章 GaAs的辐射损伤 140 4.1 引言 140 4.2 基本符号及定义 141 4.3 GaAs中原生的及辐射引入的点缺陷 143 4.3.1 GaAs中的原生点缺陷 143 4.3.2 GaAs中的基本辐射缺陷 146 4.3.3 GaAs中中子及离子引入的辐射缺陷 152 4.3.4 GaAs中加工工艺引入的辐射缺陷 154 4.3.5 GaAs辐射缺陷小结 159 4.4 损伤因子及NIEL 160 4.4.1 GaAs中载流子去除及迁移率退化 160 4.4.2 电阻损伤因子同NIEL之间的关系 164 4.4.3 寿命损伤因子及NIEL 166 4.4.4 同微观损伤的相关性 168 4.4.5 GaAs中损伤因子及NIEL的小结 170 4.5 对GaAs器件的影响

Author

[比]C.CLAEYS E.SIMOEN著 刘忠立译

Publisher

北京:国防工业出版社

Published

2008

Language

ZH

ISBN

9787118054088