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硅可控整流器与硅整流器设计工艺手册 by 第一机械工业部整流器研究所编辑 is a book available to read on EtoBox.

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1 (p1): 第一章 硅可控整流元件及硅整流元件的一般介绍1 (p1-2): 图1.2 硅整流元件的管芯1 (p2): 图表一览表1 (p2-2): 图1.1 硅整流元件的管芯基本结构、符号、及电压--电流特性1 (p2-3): 1.1.1 硅整流元件的整流特性1 (p2-4): 1.1 硅整流元件2 (p2-5): 图1.3 PN结空间电荷区3 (p2-6): 正向压降3 (p2-7): 1.1.2 硅整流元件的特性参数3 (p2-8): 正向电流5 (p2-9): 图1.5 少数载流子复合情况5 (p2-10): 图1.4 势垒电压与电流的关系6 (p2-11): 反向电流7 (p2-12): 反向击穿10 (p2-13): 图1.6 雪崩型硅整流元件制造工艺流程10 (p2-14): 图1.7 硅可控整流元件管芯结构,符号及电压--电流特性10 (p2-15): 1.2.1 硅可控整流元件的工作原理10 (p2-16): 1.2 硅可控整流元件11 (p2-17): 图1.9 二端P N P N器件的电流--电压特性11 (p2-18): 图1.8 二端P N P N器件示意图12 (p2-19): 图1.11 α与I关系曲线12 (p2-20): 图1.10 加以正电压时,电流流动情况13 (p2-21): 图1.13 硅可控元件整流元件伏安特性13 (p2-22): 图1.12 硅可控整流元件的正向联接14 (p2-23): 图1.14 载流子在硅可控整流元件中流动情况14 (p2-24): 硅可控整流元件的电流容量14 (p2-25): 1.2.2 硅可控整流元件的参数15 (p2-26): 电压容量16 (p2-27): 图1.15 发射极短路后α-I关系曲线16 (p2-28): 图1.17 短路发射极结构的硅可控整流元件中横向压降效应16 (p2-29): 图1.16 短路发射极结构的硅可控整流元件17 (p2-30): 图1.18 短路发射极常用结构示意图18 (p2-31): 正向电压降18 (p2-32): 图1.20 硅可控整流元件浓度分布18 (p2-33): 图1.19 环状发射极短路结构的硅可控整流元件19 (p2-34): 图1.21 实际的结构图20 (p2-35): 开关特性23 (p2-36): 图1.22 提高?的几种结构23 (p2-37): 图1.23 提高?合金扩散法的结构改进25 (p2-38): 图1.24 开关损耗(а)开通时的电流、电压及功率损耗的波形26 (p2-39): 1.3 结构及工艺26 (p2-40): 1.3.1 硅可控整流元件的结构26 (p2-41): (b)关闭时的电流、电压及功率损耗的波形27 (p2-42): 图1.25 硅可控整流元件的结构28 (p2-43): 1.3.2

Author

第一机械工业部整流器研究所编辑

Publisher

第一机械工业部整流器研究所

Published

1970

Language

ZH