About this scholarly article

2007 IEEE International Electron Devices Meeting - A High-performance Multi-level NAND Flash Memory with 43nm-node Floating-gate Technology by Noguchi, M.; Yaegashi, T.; Koyama, H.; Morikado, M.; Ishibashi, Y.; Ishibashi, S.; Ino, K.; Sawamura, K.; Aoi, T.; Maruyama, T.; Kajita, A.; Ito, E.; Kishida, M.; Kanda, K.; Hosono, K.; Miyamoto, S.; Ito, F.; Hirata, Y.; Hemink, G.; Higashitani, M.; Mak, A.; Chan, J.; Koyanagi, M.; Ohshima, S.; Shibata, H.; Tsunoda, H.; Tanaka, S. is a scholarly article available to read on EtoBox.

Author

Noguchi, M.; Yaegashi, T.; Koyama, H.; Morikado, M.; Ishibashi, Y.; Ishibashi, S.; Ino, K.; Sawamura, K.; Aoi, T.; Maruyama, T.; Kajita, A.; Ito, E.; Kishida, M.; Kanda, K.; Hosono, K.; Miyamoto, S.; Ito, F.; Hirata, Y.; Hemink, G.; Higashitani, M.; Mak, A.; Chan, J.; Koyanagi, M.; Ohshima, S.; Shibata, H.; Tsunoda, H.; Tanaka, S.

Publisher

CRC Press

Published

2007