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半导体器件工艺原理 by 黄汉尧,李乃平编 is a book available to read on EtoBox.

What is 半导体器件工艺原理 about?

1 (p1): 目录 1 (p1-2): 绪论 4 (p1-3): 第1章 衬底制备 4 (p1-4): §1-1 衬底材料 4 (p1-5): 1.对衬底材料的要求 5 (p1-6): 2.衬底单晶材料的制备 8 (p1-7): 3.杂质缺陷对器件工艺质量的影响 15 (p1-8): 4.多晶硅的结构性质 16 (p1-9): §1-2 衬底制备 17 (p1-10): 1.晶体定向 22 (p1-11): 2.晶片加工 28 (p1-12): 第2章薄膜制备 28 (p1-13): §2-1 硅外延薄膜制备的原理 28 (p1-14): 1.外延生长动力学原理 36 (p1-15): 2.外延掺杂及其杂质再分布 40 (p1-16): 3.堆垛层错 43 (p1-17): 4.氯化氢气相抛光 45 (p1-18): 5.自掺杂效应 48 (p1-19): 6.低压外延 54 (p1-20): §2-2 二氧化硅薄膜 54 (p1-21): 1.SiO2膜的结构和性质 56 (p1-22): 2.热生长氧化膜的制备 65 (p1-23): 3.实现掩蔽扩散的条件 67 (p1-24): 4.氧化层错 70 (p1-25): §2-3 薄膜的化学气相淀积 71 (p1-26): 1.常压化学气相淀积法 77 (p1-27): 2.低压化学气相淀积法 79 (p1-28): 3.等离子增强化学气相淀积法 82 (p1-29): 4.分子束外延 92 (p1-30): 第3章 掺杂技术 92 (p1-31): §3-1 扩散 92 (p1-32): 1.杂质原子的微观扩散机构及其宏观描述 94 (p1-33): 2.扩散层杂质原子的浓度分布 97 (p1-34): 3.硅器件生产中的两步扩散工艺 99 (p1-35): 4.扩散层质量参数 107 (p1-36): 5.扩散条件的选择 110 (p1-37): 6.理论分布与实际分布的差异 115 (p1-38): 7.金扩散 117 (p1-39): §3-2 离子注入掺杂 118 (p1-40): 1.离子注入设备 120 (p1-41): 2.注入离子的浓度分布 134 (p1-42): 3.晶格损伤与退火 140 (p1-43): §3-3 合金法 140 (p1-44): 1.合金pn结的制作原理 141 (p1-45): 2.合金pn结的结深 142 (p1-46): 3.合金条件的考虑 147 (p1-47): 第4章 图形加工技术 147 (p1-48): §4-1 光致抗蚀剂 147 (p1-49): 1.光致抗蚀剂的结构性质 147 (p1-50): 2.光致抗蚀剂的种类和感光机理 150 (p1-51): 3.对光致抗蚀剂性能的要求 152 (p1-52): §4-2 光掩模 152 (p1

Author

黄汉尧,李乃平编

Publisher

上海:上海科学技术出版社

Published

1985

Language

ZH