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阻变存储器 : 器件, 材料, 机理, 可靠性及电路 by 林殷茵,宋雅丽,薛晓勇著 is a book available to read on EtoBox.

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1 (p1): 第1章 RRAM概述 5 (p1-1): 参考文献 9 (p2): 第2章 2D RRAM的存储单元结构 9 (p2-1): 2.1 1T1R单元 9 (p2-1-1): 2.1.1 单元结构 12 (p2-1-2): 2.1.2 单极和双极操作 15 (p2-2): 2.2 采用二极管作为选通器件的单元 15 (p2-2-1): 2.2.1 单极操作的1D1R单元 16 (p2-2-2): 2.2.2 采用双向二极管作为选通器件的RRAM单元 21 (p2-3): 2.3 自整流RRAM单元 21 (p2-3-1): 2.3.1 混合型RRAM存储单元 23 (p2-3-2): 2.3.2 互补型RRAM器件 25 (p2-4): 参考文献 29 (p3): 第3章 RRAM的阻变机理 30 (p3-1): 3.1 导电细丝的类型及其相应的阻变过程 31 (p3-1-1): 3.1.1 金属导电丝型RRAM 34 (p3-1-2): 3.1.2 氧空位导电丝RRAM 39 (p3-2): 3.2 RRAM的FORMING过程 41 (p3-3): 3.3 导电细丝的微缩化及其对性能的影响 44 (p3-4): 参考文献 49 (p4): 第4章 影响RRAM读写性能的主要因素和优化方法 49 (p4-1): 4.1 降低RESET电流的方法 51 (p4-1-1): 4.1.1 构建多层结构 52 (p4-1-2): 4.1.2 通过控制限流降低功耗 55 (p4-2): 4.2 操作算法提高RRAM读写特性 55 (p4-2-1): 4.2.1 自适应写操作算法提高写成功率和Roff/Ron窗口 56 (p4-2-2): 4.2.2 操作算法提高参数一致性 59 (p4-3): 4.3 工艺方法提高读写参数一致性 59 (p4-3-1): 4.3.1 电极效应 60 (p4-3-2): 4.3.2 插入缓冲层和构建双层结构 61 (p4-3-3): 4.3.3 嵌入金属来控制导电通路 63 (p4-4): 参考文献 66 (p5): 第5章 RRAM的可靠性 66 (p5-1): 5.1 保持特性当前的测试方法 67 (p5-2): 5.2 保持特性的模型和改善方法 67 (p5-2-1): 5.2.1 RRAM保持特性失效模型 68 (p5-2-2): 5.2.2 通过形成高密度的氧空位CF改善保持特性 70 (p5-2-3): 5.2.3 通过动态自适应写操作算法改善保持特性 72 (p5-3): 5.3 耐久性模型和改善方法 72 (p5-3-1): 5.3.1 耐久性失效模型 75 (p5-3-2): 5.3.2 高耐久性的器件结构 77 (p5-3-3): 5.3.3 通过编程算法提高耐久性 79 (p5-4): 参考文献 81

Author

林殷茵,宋雅丽,薛晓勇著

Publisher

北京:科学出版社

Published

2014

Language

ZH

ISBN

9787030414991