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金属 绝缘体 半导体微电子学系统的物理基础 by (苏)利托夫琴科(Литовченко,В.Г.),(苏)戈尔班(Горбань,А.П.)著;黄振岗,叶汝求译 is a book available to read on EtoBox.

What is 金属 绝缘体 半导体微电子学系统的物理基础 about?

1 (p0-1): 目录1 (p0-2): 第一章 在半导体衬底上生长绝缘膜2 (p0-3): §1 半导体经氧化而形成绝缘膜的方法19 (p0-4): §2 杂质对氧化层性质的影响25 (p0-5): §3 制备绝缘膜的其它方法31 (p0-6): 第二章 MIS结构参数的测量方法31 (p0-7): §1 MIS系统的等效电路33 (p0-8): §2 根据电容测量计算表面势和表面陷阱参数的方法40 (p0-9): §3 基于测量横向电导G(MIS阻抗的有功分量)的方法43 (p0-10): §4 研究表面和MIS系统的光电法51 (p0-11): §5 热激现象法57 (p0-12): 第三章 绝缘体-半导体系统表面绝缘层结构和电学性质研究58 (p0-13): §1 应用电子衍射法研究表面氧化层59 (p0-14): §2 表面氧化层的光学特性69 (p0-15): §3 氧化物的结构——层状模型72 (p0-16): §4 质谱法研究绝缘层结构74 (p0-17): §5 氧化物结构和化学键的特性77 (p0-18): §6 绝缘层结构和其电学性能的关系87 (p0-19): §7 与氧化物内局域电荷有关的绝缘体-半导体结构的电学性质92 (p0-20): 第四章 绝缘体-半导体双层系统界面的晶体结构和电学性质92 (p0-21): §1 半导体-绝缘体结构的三层模型101 (p0-22): §2 绝缘体-半导体系统界面的电学参数113 (p0-23): §3 MIS结构表面沟道散射过程的特点134 (p0-24): 第五章 MIS结构中的产生现象和输运过程134 (p0-25): §1 MIS结构参数和非平衡空间电荷区特性的相互关系138 (p0-26): §2 MIS结构中的双极产生过程146 (p0-27): §3 硅MIS结构中双极产生过程的实验研究结果159 (p0-28): §4 MIS结构产生和复合参数的相互关系162 (p0-29): §5 绝缘体内的电荷输运和场产生170 (p0-30): §6 半导体衬底内的场产生177 (p0-31): §7 隧道谱182 (p0-32): §8 厚绝缘层MIS结构中的隧道产生现象[动态隧道效应]189 (p0-33): 第六章 光照对MIS系统特性的影响——光电容效应189 (p0-34): §1 MIS系统中的光电容效应理论205 (p0-35): §2 在硅MIS结构内光电容效应的主要规律性212 (p0-36): §3 光电容效应法研究MIS结构中的复合和陷获过程220 (p0-37): §4 具有非稳态耗尽层的MIS结构内的光电现象239 (p0-38): 第七章 MIS系统电物理性质的不均匀性及确定不均匀性的方法239 (p0-39): §1 表面电荷不均匀性的统计模型241 (p

Author

(苏)利托夫琴科(Литовченко,В.Г.),(苏)戈尔班(Горбань,А.П.)著;黄振岗,叶汝求译

Publisher

北京:科学出版社

Published

1988

Language

ZH

ISBN

9787030000835