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抗辐射电子学 : 辐射效应及加固原理 = Radiation hardening electronics : radiation effects and hardening techniques by 赖祖武主编, 赖祖武主编 , 包宗明副主编 , 赖祖武 [and others]编著, 赖祖武, 包宗明 is a book available to read on EtoBox.

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1 (p0-1): 第一章 绪论 16 (p1): 第二章 主要的强辐射环境 16 (p1-2): 2.1 空间辐射环境 17 (p1-3): 2.1.1 宇宙射线 18 (p1-4): 2.1.2 太阳风 18 (p1-5): 2.1.3 极光辐射 18 (p1-6): 2.1.4 范·艾伦辐射带 21 (p1-7): 2.2 核爆炸的核辐射环境 26 (p1-8): 2.3 核电磁脉冲环境 27 (p1-9): 2.3.1 高空核电磁脉冲 29 (p1-10): 2.3.2 低空及地面核爆炸电磁脉冲 32 (p1-11): 2.3.3 地下核爆炸电磁脉冲 33 (p1-12): 2.4 内电磁脉冲 36 (p1-13): 2.5 系统电磁脉冲 37 (p1-14): 2.5.1 绝缘体的康普顿充电效应 39 (p1-15): 2.5.2 金属导体的γ辐射感生电流 40 (p1-16): 2.6 高功率微波 43 (p1-17): 2.7 几种实验装置的辐射环境 44 (p1-18): 参考文献 46 (p2): 第三章 MOS场效应晶体管的辐射效应及加固技术 46 (p2-2): 3.1 概述 46 (p2-3): 3.2 MOS场效应晶体管(MOSFET)的主要参数 48 (p2-4): 3.3 电离辐射在SiO2中形成空间电荷的机制 48 (p2-5): 3.3.1 空穴迁移模型 52 (p2-6): 3.3.2 SiO2中空间电荷的结构 53 (p2-7): 3.3.3 SiO2中俘获的正空间电荷的激活能 56 (p2-8): 3.3.4 俘获空穴的退火过程 59 (p2-9): 3.3.5 钠离子的影响 59 (p2-10): 3.4 电离辐射在Si/SiO2界面产生的界面态 60 (p2-11): 3.4.1 界面态特征 60 (p2-12): 3.4.2 MOS器件电离辐射产生界面态的过程 60 (p2-13): 3.4.3 影响界面态建立过程的因素 64 (p2-14): 5.4.2 工艺特征尺寸对器件单粒子效应的影响 1 65 (p2-15): 3.4.4 界面态建立的模型 67 (p2-16): 3.4.5 MOSFET低温辐射后退火过程中形成界面态的研究 70 (p2-17): 3.4.6 电离辐射产生的界面态在禁带能级中的转移 73 (p2-18): 3.5 MOSFET的电离辐射效应及加固技术 73 (p2-19): 3.5.1 MOSFET的电离辐射效应 77 (p2-20): 3.5.2 衬底材料的影响及加固选择 79 (p2-21): 3.5.3 氧化的环境、温度和氧化后的退火对辐射效应的影响 81 (p2-22): 3.5.4 氧化层厚度的影响 82 (p2-23): 3.5.6 MOS器件抗电离辐射加固的原则 82 (p

Author

赖祖武主编, 赖祖武主编 , 包宗明副主编 , 赖祖武 [and others]编著, 赖祖武, 包宗明

Publisher

北京:国防工业出版社

Published

1998

Language

ZH

ISBN

9787118018660