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Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf Korund im System GaCl/NH~3~/Ar by Dr. W. Seifert; Dr. A. Tempel is a Materials Science article available to read on EtoBox.
What is Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf Korund im System GaCl/NH~3~/Ar about?
## Abstract Die Züchtung einkristalliner GaN‐Schichten auf {0001}‐orientierten Korundsubstraten wird im System GaCl/NH~3~/Ar über den Temperaturbereich von 500 bis 1100°C untersucht. Eine hohe Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen im Bereich 1000 bis 1050°C erreicht. Die RHEED‐Diagramme solcher Proben zeigen KIKUCHI‐Linien. Die hohe Elektronenkonzentration von etwa 10^20^ cm^−3^ fällt unterhalb 700°C Züchtungstemperatur rasch mit fallender Temperatur ab. Gleichzeitig wird die Kristallperfektion infolge zunehmender Kristallitverkippung schlechter. Beugungsringe, die auf polykristalline Beschaffenheit hindeuten, treten jedoch nicht auf. Die bei 500°C gezüchteten Proben sind mit Chlorid verunreinigt. Manchmal findet ein dendritisches überwachsen der Schicht durch GaN in der Sphaleritmodifikation statt.
Who reads Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf Korund im System GaCl/NH~3~/Ar?
It is typically read by researchers, students, and practitioners in Materials Science.
- Author
- Dr. W. Seifert; Dr. A. Tempel
- Publisher
- John Wiley and Sons; Wiley (John Wiley & Sons); Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.; Wiley (ISSN 0232-1300)
- Published
- 1974
- Language
- DE
- Field
- Materials Science (Physical Sciences)