About this scholarly article

2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Ultra-High Endurance and Low IOFF Selector based on AsSeGe Chalcogenides for Wide Memory Window 3D Stackable Crosspoint Memory by Cheng, H. Y.; Chien, W. C.; Kuo, I. T.; Yeh, C. W.; Gignac, L.; Kim, W.; Lai, E. K.; Lin, Y. F.; Bruce, R. L.; Lavoie, C.; Cheng, C.W.; Ray, A.; Lee, F. M.; Carta, F.; Yang, C. H.; Lee, M. H.; Ho, H. Y.; BrightSky, M.; Lung, H. L. is a scholarly article available to read on EtoBox.

Author

Cheng, H. Y.; Chien, W. C.; Kuo, I. T.; Yeh, C. W.; Gignac, L.; Kim, W.; Lai, E. K.; Lin, Y. F.; Bruce, R. L.; Lavoie, C.; Cheng, C.W.; Ray, A.; Lee, F. M.; Carta, F.; Yang, C. H.; Lee, M. H.; Ho, H. Y.; BrightSky, M.; Lung, H. L.

Publisher

IEEE

Published

2018