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Fabricación de láseres semiconductores InAs by bubin2000 is a document available to read on EtoBox.

What is Fabricación de láseres semiconductores InAs about?

El documento presenta la fabricación y caracterización de láseres semiconductores basados en puntos cuánticos de InAs insertados en un pozo de InGaAs, utilizando Epitaxia de Haces Moleculares. Se detalla el proceso de crecimiento, la caracterización morfológica y óptica, así como los resultados de fotoluminiscencia y electroluminiscencia, destacando que los láseres operan a temperatura ambiente con potencias pico de 12 mW. Se enfatiza la importancia de los contactos óhmicos de baja resistividad para mejorar

Author

bubin2000

Language

ES