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半导体材料 by 王季陶,刘明登主编, 王季陶, 刘明登主编, 王季陶, 刘明登 is a book available to read on EtoBox.

What is 半导体材料 about?

1 (p1): 第一章 半导体材料概述 1 (p1-1): 1-1 半导体材料的发展与分类 6 (p1-2): 1-2 半导体材料的化学键和典型晶体结构 19 (p1-3): 1-3 材料的组成和结构及其与性能的关系 28 (p1-4): 参考文献 31 (p2): 第二章 相平衡和相图 32 (p2-1): 2-1 相律 36 (p2-2): 2-2 单元系相图 40 (p2-3): 2-3 二元系相图及其应用 57 (p2-4): 2-4 三元系相图基础 67 (p2-5): 参考文献 68 (p3): 第三章 锗、硅的化学提纯 68 (p3-1): 3-1 锗、硅的性质 73 (p3-2): 3-2 锗的化学提纯 76 (p3-3): 3-3 硅的化学提纯 84 (p3-4): 3-4 气体的吸附提纯 87 (p3-5): 3-5 反应平衡体系的热力学计算 99 (p3-6): 3-6 反应平衡体系的矩阵表示方法 107 (p3-7): 参考文献 109 (p4): 第四章 锗、硅的区熔提纯 109 (p4-1): 4-1 分凝现象与分凝系数 117 (p4-2): 4-2 区熔提纯原理 125 (p4-3): 4-3 锗的区熔提纯 129 (p4-4): 4-4 硅的悬浮区熔提纯 145 (p4-5): 参考文献 146 (p5): 第五章 晶体生长 146 (p5-1): 5-1 晶体生长的一般原理 167 (p5-2): 5-2 从熔体生长晶体的热输运 174 (p5-3): 5-3 锗、硅晶体的制备 183 (p5-4): 参考文献 184 (p6): 第六章 锗、硅单晶中的杂质 184 (p6-1): 6-1 杂质在锗、硅中的物理性质 201 (p6-2): 6-2 杂质在锗、硅中的扩散 208 (p6-3): 6-3 熔体中生长锗、硅单晶的掺杂 223 (p6-4): 6-4 中子嬗变掺杂与离子注入掺杂 233 (p6-5): 参考文献 235 (p7): 第七章 硅、锗单晶中的缺陷 235 (p7-1): 7-1 晶体中的点缺陷 241 (p7-2): 7-2 位错 257 (p7-3): 7-3 锗、硅单晶中的面缺陷 263 (p7-4): 7-4 硅单晶中的微缺陷 269 (p7-5): 7-5 半导体加工过程中的二次缺陷 279 (p7-6): 参考文献 281 (p8): 第八章 硅外延 282 (p8-1): 8-1 硅外延概述 285 (p8-2): 8-2 硅外延生长的基本原理 300 (p8-3): 8-3 外延层中的杂质扩散 309 (p8-4): 8-4 外延层中的缺陷 314 (p8-5): 8-5 硅的异质外延 323 (p8-6): 参考文献 325 (p9): 第九章 多晶硅、非晶硅等薄膜材料和一些反应动力学问

Author

王季陶,刘明登主编, 王季陶, 刘明登主编, 王季陶, 刘明登

Publisher

北京:高等教育出版社

Published

1990

Language

ZH

ISBN

9787040028171