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半导体物理基础教程 by 郭子政编著, 郭子政编著, 郭子政 is a book available to read on EtoBox.

What is 半导体物理基础教程 about?

1 (p1): 第1章 半导体晶体结构1 (p1-1): 1.1晶体与非晶体2 (p1-2): 1.2晶体结构3 (p1-3): 1.3半导体的晶体结构5 (p1-4): 习题6 (p2): 第2章 半导体的能带6 (p2-1): 2.1能带的形成7 (p2-2): 2.2半导体中电子共有化运动与能带的量子力学描述10 (p2-3): 2.3半导体中的E(k)~k关系及有效质量13 (p2-4): 2.4硅、锗和砷化镓的能带结构14 (p2-5): 2.5本征半导体、本征激发和空穴15 (p2-6): 2.6能带理论应用举例17 (p2-7): 习题18 (p3): 第3章 杂质半导体和杂质能级19 (p3-1): 3.1间隙式杂质和替位式杂质20 (p3-2): 3.2施主和受主22 (p3-3): 3.3杂质补偿23 (p3-4): 3.4深能级杂质24 (p3-5): 习题25 (p4): 第4章 半导体中的平衡载流子25 (p4-1): 4.1加权求和和加权平均25 (p4-2): 4.2理想气体分子按速率的分布26 (p4-3): 4.3导带电子浓度与价带空穴浓度29 (p4-4): 4.4本征载流子浓度与本征费米能级31 (p4-5): 4.5杂质半导体的载流子浓度35 (p4-6): 习题36 (p5): 第5章 半导体中载流子的输运现象36 (p5-1): 5.1半导体中载流子的运动形式36 (p5-1-1): 5.1.1无规则运动——热运动37 (p5-1-2): 5.1.2有规则运动38 (p5-2): 5.2主要散射机构以及迁移率与平均自由时间的关系42 (p5-3): 5.3迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系44 (p5-4): 5.4强电场效应44 (p5-5): 5.5耿氏效应45 (p5-5-1): 5.5.1伏安特性45 (p5-5-2): 5.5.2 vd~ε特性46 (p5-5-3): 5.5.3双谷模型理论47 (p5-6): 习题48 (p6): 第6章 非平衡载流子48 (p6-1): 6.1过剩载流子及其产生与复合50 (p6-2): 6.2非平衡载流子的寿命52 (p6-3): 6.3准费米能级55 (p6-4): 6.4载流子的扩散运动、爱因斯坦关系58 (p6-5): 6.5连续性方程59 (p6-6): 习题61 (p7): 第7章pn结62 (p7-1): 7.1 pn结的单向导电性62 (p7-1-1): 7.1.1平衡pn结64 (p7-1-2): 7.1.2 pn结的伏安特性67 (p7-2): 7.2 pn结电容68 (p7-2-1): 7.2.1势垒电容69 (p7-2-2): 7.2.2扩散电容69 (p7-3): 7.3 pn结击穿71 (p7-4): 7.4 pn结隧道效应74 (p7-

Author

郭子政编著, 郭子政编著, 郭子政

Publisher

北京:清华大学出版社

Published

2017

Language

ZH

ISBN

9787302459040