Opening book details…
Can I read Введение в электронику: Практический подход on EtoBox?
Введение в электронику: Практический подход by Гейтс Эрл Д., Перевод Ю.Г.Синдеева is a nonfiction available to read on EtoBox.
What is Введение в электронику: Практический подход about?
Книга известного американского специалиста в простой и доступной форме знакомит с основами современной электроники. Основная ее цель - теоретически подготовить будущих специалистов - электриков и электронщиков - к практической работе, поэтому кроме детального изложения принципов работы измерительных и полупроводниковых приборов, интегральных микросхем рассмотрены общие вопросы физики диэлектриков и полупроводников. Обсуждение общих принципов микроэлектроники, описание алгоритмов цифровой обработки информации сопровождается примерами практической реализации устройств цифровой обработки сигналов, описаны принципы действия и устройство компьютера. Книга снабжена большим количеством примеров, задач и упражнений, выполнение которых помогает пониманию и усвоению материала. Предназначена для учащихся старших курсов средних специальных учебных заведений радиотехнического профиля, а также будет полезна самостоятельно изучающим основы электроники.
Who reads Введение в электронику: Практический подход?
It is typically read by self-directed learners exploring a subject in depth.
Common subject areas: history, science, philosophy, social sciences.
- Author
- Гейтс Эрл Д., Перевод Ю.Г.Синдеева
- Publisher
- Феникс
- Published
- 1998
- Language
- RU
- ISBN
- 9785222004173
- Category
- nonfiction
- Subjects
- Technology, Stem
More by Гейтс Эрл Д., Перевод Ю.Г.Синдеева
Browse all works by Гейтс Эрл Д., Перевод Ю.Г.Синдеева
Similar books
- Введение в электронику Практический подход — Эрл Д.Гейтс (1998)
- Введение в электронику — Агеев Е. Ю. (2003)
- Введение в оптическую электронику — Ярив А. (1983)
- Введение в квантовую электронику — Дьяков В.А. (1969)
- Введение в электронику — Юсупов А. Р., Кондратьев Д. В. (2020)
- Введение в квантовую электронику — Глухова О.Е. , Колесникова А.С. , Слепченков С.С.