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集成电路设计原理 模拟集成电路 by 复旦大学微电子教研组编 is a book available to read on EtoBox.

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1 (p0-1): 目 录 1 (p0-2): 绪论 3 (p0-3): 第一章双极型模拟集成电路的 3 (p0-4): 电路设计基础 3 (p0-5): 第一节差分放大器 4 (p0-6): 1-1-1差分放大器的基本原理 7 (p0-7): 1-1-2差分放大器的直流传输特性和跨导 14 (p0-8): 1-1-3差分放大器的共模抑制特性 23 (p0-9): 1-1-4差分放大器的失调 29 (p0-10): 1-1-5 差分放大器的输入偏置电流和输入失调电流 30 (p0-11): 1-1-6差分放大器的漂移特性 34 (p0-12): 1-1-7单片集成差分放大器电路举例 35 (p0-13): 第二节恒流源和有源负载 36 (p0-14): 1-2-1恒流源的基本电路形式 41 (p0-15): 1-2-2恒流源的输出电阻 45 (p0-16): 1-2-3电源电压和环境温度变化时恒流源的稳定性 50 (p0-17): 1-2-4有源负载 53 (p0-18): 第三节放大器的负反馈 53 (p0-19): 1-3-1 负反馈放大器的基本公式 54 (p0-20): 1-3-2四种典型的负反馈方式 57 (p0-21): 1-3-3负反馈对放大器性能的影响 65 (p0-22): 1-3-4负反馈对放大器输入与输出阻抗的影响 71 (p0-23): 1-3-5集成负反馈放大器电路举例 73 (p0-24): 第四节 双差分电路和模拟乘法器 73 (p0-25): 1-4-1乘法器的基本原理 81 (p0-26): 1-4-2四象限单片集成乘法器举例 85 (p0-27): 参考文献 87 (p0-28): 第二章 模拟集成电路中的元件设计 87 (p0-29): 第一节半导体表面的基础知识 87 (p0-30): 2-1-1理想表面与真实表面 88 (p0-31): 2-1-2 硅-二氧化硅界面的结构 90 (p0-32): 2-1-3空间电荷区和表面势 93 (p0-33): 2-1-4 MOS结构的电容-电压特性 93 (p0-34): 3-3-3双极型集成运算放大器的输出级 1 100 (p0-35): 第二节 高增益npn晶体管的设计 101 (p0-36): 2-2-1影响npn管小电流增益的主要原因 107 (p0-37): 2-2-2 高增益npn晶体管的版图设计 114 (p0-38): 2-2-3提高npn管小电流增益的工艺措施 120 (p0-39): 第三节 横向pnp晶体管的设计 120 (p0-40): 2 3-1横向pnp晶体管的基本结构和特性 123 (p0-41): 2-3-2横向pnp晶体管的电流增益特性 129 (p0-42): 2-3-3横向pnp管的设计 136 (p0-43): 2-3-4漂移型横向pnp

Author

复旦大学微电子教研组编

Publisher

北京市:高等教育出版社

Published

1983

Language

ZH