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电子工业生产技术手册 （6） 半导体与集成电路卷 by 《电子工业生产技术手册》编委会 is a book available to read on EtoBox.

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1 (p0-1): 第1章半导体材料的物理和化学性质 3 (p0-2): 目录 3 (p0-3): 第1篇 3 (p0-4): 1.1 晶格结构 3 (p0-5): 1.1.1 晶格结构的周期性、晶胞 3 (p0-6): 1.1.2晶列、晶面和密勒指数 4 (p0-7): 1.1.3密堆集、配位数 7 (p0-8): 1.1.4主要半导体的晶格结构 10 (p0-9): 1.1.5晶格常数 12 (p0-10): 1.2 能带和能级 12 (p0-11): 1.2.1布洛赫定理和布里渊区 12 (p0-12): 1.2.2主要半导体的能带结构 25 (p0-13): 1.2.3能带边及其参数 27 (p0-14): 4.4对外延片的质量要求和测量 30 (p0-15): 1.2.4半导体中的杂质能级 35 (p0-16): 1.3 物理性质和常数 35 (p0-17): 1.3.1半导体的物理性质与键特性的关系 36 (p0-18): 1.3.2半导体材料的机械和热学性质 42 (p0-19): 1.3.3半导体材料的电学性质 47 (p0-20): 1.3.4半导体的光学常数 52 (p0-21): 1.4物化特性 52 (p0-22): 1.4.1杂质分凝效应 55 (p0-23): 1.4.3半导体材料的势力学数据 57 (p0-24): 1.4.2相平衡和相图 71 (p0-25): 1.5 材料的化学性质 71 (p0-26): 1.5.1 硅的主要化学性质 72 (p0-27): 1.5.2锗的主要化学性质 72 (p0-28): 1.5.3碳化硅的主要化学性质 73 (p0-29): 1.5.5磷化铟的主要化学性质 73 (p0-30): 参考资料 73 (p0-31): 1.5.4砷化镓的主要化学性质 76 (p0-32): 第2章元素半导体材料的制备 76 (p0-33): 2.1 多晶硅制备工艺 76 (p0-34): 2.1.1工艺流程 76 (p0-35): 2.1.2工业硅的制备 77 (p0-36): 2.1.3 S1HCl3的合成 79 (p0-37): 2.1.4 S1HCl3的提纯 80 (p0-38): 2.1.5 S1HCl氢还原 82 (p0-39): 2.2 直拉法制备硅单晶工艺 82 (p0-40): 2.2.1结晶原理 84 (p0-41): 2.2.2拉晶设备(单晶炉) 87 (p0-42): 2.2.3原辅材料 90 (p0-43): 2.2.4热场(或温场) 90 (p0-44): 2.2.5拉晶工艺 109 (p0-45): 2.2.6质量控制 111 (p0-46): 2.3 悬浮区熔法制备硅单晶工艺 111 (p0-47): 2.3.1区熔原理 113 (p0-48): 2.3.2区熔设备 116 (

Author

《电子工业生产技术手册》编委会

Published

1989

Language

ZH