Can I read 功率半导体器件与应用 = Power semiconductors on EtoBox?

功率半导体器件与应用 = Power semiconductors by (瑞士)斯蒂芬?林德著, 林德 Linder, Stefan, 1965-, (瑞士)斯蒂芬·林德著;肖曦,李虹译, Stefan Linder is a book available to read on EtoBox.

What is 功率半导体器件与应用 = Power semiconductors about?

1 (p1): 第1章 半导体物理基础 1 (p1-1): 1.1 硅的结构和特性 11 (p1-2): 1.2 电荷迁移 17 (p1-3): 1.3 载流子注入 17 (p1-4): 1.4 电荷载流子的激发和复合 24 (p1-5): 1.5 连续性方程 25 (p1-6): 1.6 泊松方程 26 (p1-7): 1.7 强场效应 29 (p2): 第2章 pn结 29 (p2-1): 2.1 pn结的内建电压 32 (p2-2): 2.2 耗尽层(空间电荷区) 34 (p2-3): 2.3 pn结的伏安特性 40 (p2-4): 2.4 射极效率 42 (p2-5): 2.5 实际的pn结 50 (p3): 第3章 pin二极管 50 (p3-1): 3.1 高压二极管的基本结构 51 (p3-2): 3.2 pin二极管的导通状态 59 (p3-3): 3.3 pin二极管的动态工况 67 (p3-4): 3.4 二极管反向恢复的瞬变过程 70 (p3-5): 3.5 二极管工作条件的限制 72 (p3-6): 3.6 现代pin二极管的设计 77 (p4): 第4章 双极型晶体管 77 (p4-1): 4.1 双极型晶体管的结构 78 (p4-2): 4.2 双极型晶体管的电流增益 83 (p4-3): 4.3 双极型晶体管的电流击穿 85 (p4-4): 4.4 正向导通压降 85 (p4-5): 4.5 基极推出(“柯克”效应) 87 (p4-6): 4.6 二次击穿 89 (p5): 第5章 晶闸管 89 (p5-1): 5.1 晶闸管的结构和工作原理 91 (p5-2): 5.2 触发条件 91 (p5-3): 5.3 静态伏安特性 92 (p5-4): 5.4 正向阻断模式和亚稳态区域 95 (p5-5): 5.5 晶闸管擎住状态 98 (p5-6): 5.6 反向阻断状态下的晶闸管 100 (p5-7): 5.7 开通特性 106 (p5-8): 5.8 关断特性 110 (p6): 第6章 门极关断(GTO)晶闸管与门极换流晶闸管(GCT)/集成门极换流晶闸管(IGCT) 110 (p6-1): 6.1 GTO晶闸管 125 (p6-2): 6.2 GCT 130 (p7): 第7章 功率MOSFET 130 (p7-1): 7.1 场效应晶体管基本理论 136 (p7-2): 7.2 场效应晶体管的I(V)特性 139 (p7-3): 7.3 功率场效应晶体管的结构 148 (p7-4): 7.4 功率场效应晶体管的开关特性 153 (p7-5): 7.5 雪崩效应 155 (p7-6): 7.6 源极-漏极二极管(体二极管) 156 (p8): 第8章 IGBT 156 (p8-1): 8.1 IGBT的结构和工作原理 158

Author

(瑞士)斯蒂芬?林德著, 林德 Linder, Stefan, 1965-, (瑞士)斯蒂芬·林德著;肖曦,李虹译, Stefan Linder

Publisher

北京：机械工业出版社

Published

2016

Language

ZH

ISBN

9787111534570